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概述
调研大纲

概述

1) 国内没有产品;例如光控仪,国内应集中学校,科研机构及企业加大研发投入,专项攻克技术难题。主要原因技术难点目前无法攻克,相关人才紧缺。

2) 国内有产品,但是关键技术指标与国外相比有差距的;例如:可编程控制器PLC、气体传输系统,干泵,明确单一技术差距,完善产业链配套,达到技术升级。

表:国内外产品技术差距对比

  技术指标 国内 国外
可编程控制器PLC 输入/输出点数 16~256 点 10-256点
扫描速度 较低 标准模式时基本指令处理速度可达0.22μs
气体传输系统 关键部件有MFC(气体质量流量控制器)稳定性
管件电解抛光工艺 初级电解抛光 符合半导体(SEMI)标准,适用于半导体超纯气体的严格标准
6米管道电解抛光工艺 初级电解抛光 完全符合半导体设备厂需求
全自动弯管外抛技术 暂无 弯管自动抛光,表面粗糙度均匀
不锈钢焊接工艺 氩弧焊接 全渗透精密焊接
自动不锈钢罐直缝、环缝焊接工艺 手动或半自动焊接 全渗透精密焊接
干泵 极限压强 0.03Torr 0.00038Torr
  额定抽速 2300m3/hr 3450m3/h-1

 

3) 国内有产品,关键技术指标也与国外相当,但设备厂商不愿意使用的;例如激光器、镜头,气体质量控制器,温控系统,离子加速管,钨钼棒;在下游企业试验运行造成下游企业生产经营风险高,不愿承担因试运行设备带来的风险,使得国产设备在下游企业中的呈现拒绝使用状态,严重阻碍国产设备的国产化进程。建议国家层面主导介入,降低下游企业的风险。

4) 国内有产品,且已经得到设备厂商使用的部分为耗材和小部件。例如:吸嘴、供料器,靶材,钨钼棒,进一步的技术升级,抢占下一个技术关口,完善产业链。未来增加产品的稳定性及精密度,及产品的使用寿命。

5) 全球竞争格局集中,国产替代加速。全球半导体设备竞争格局高度集中(CR5占比66%)、诞生了应用材料、ASML、泛林半导体等巨头。这些龙头企业收入体量大、产品布局丰富。相比而言,国内设备公司体量较小、产品线相对单一。2020年,我国半导体设备国产化率约为15%,技术难度最高的集成电路设备国产化率仅为8%。国产替代迫在眉睫。目前,我国企业在刻蚀设备、薄膜沉积设备、离子注入机、清洗设备、检测设备等领域正奋力追赶并取得了一定的成绩。国内在集成电路的关键部件目前还是以组装为主,关键技术含量高的部件基本依靠进口,受制于国外生产厂家,而只有小部分技术含量低及可替代性强的部件实现了国产化。

6) 持续加大集成电路各个部件的研发投入,解决关键技术难点。国内集成电路面临成品在下游企业试验运行造成下游企业生产经营风险高,不愿承担因试运行设备带来的风险,使得国产设备在下游企业中的呈现拒绝使用状态,严重阻碍国产设备的国产化进程。研究机构,设备应用方及设备应用方构建良性设备技术及实用反馈机制,能即时增加霍改正研发方向和精力。建议国家层面主导介入,降低下游企业的风险。

7) 未来国产集成电路制造设备关键部件方面要突破国外技术壁垒和封锁,首先要得到行业内设备公司的认可。目前国内集成电路政策资金持续投入,未来更倾向于专款专用,加强资金的有效利用,加强监管。在集成电路领域部分国企内管理人员和研发人员比例失衡,导致管理成本过高,形态臃肿,所以应进行企业人员结构合理优化,加大研发人员培养力度,并增大对技术人员的激励。

 

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